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El documento describe los diferentes tipos de memorias utilizadas en computadoras, incluyendo DIMM, RIMM, DDR, DDR2, DDR3 y DDR4. Cada tipo de memoria tiene características como velocidad, voltaje, capacidad y organización lógica que la hacen más rápida y eficiente que la anterior. El documento explica las mejoras tecnológicas que cada generación de memoria introdujo para aumentar el rendimiento de los sistemas de computo.

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DIMM Los DIMM (sigla en inglés de dual in-line memory module, traducible como «módulo de memoria con contactos duales») son, al igual que sus precedentes.Los módulos DIMM son reconocibles externamente por tener cada contacto (o pin) de una de sus caras separado del opuesto de la otra, a diferenciade los SIMM en que cada contacto está unido a su opuesto.La disposiciónfísicade los DIMM duplica el número de contactos diferenciados con el bus. Un DIMM puede comunicarse con la caché a 64 (y algunos a 72 bits), a diferenciade los 32 bits de los SIMM. El hecho de que los módulos en formato DIMM sean memorias de 64 bits, explica por qué no necesitan emparejamiento. Los módulos DIMM poseencircuitos de memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y poseena la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168 contactos.Además de ser de mayores dimensiones que los módulos SIMM (130x25 estos módulos poseenuna segunda muesca que evita confusiones. Las DIMM frecuentemente son referenciadas como de "un lado" o de "doble lado", refiriéndose ala ubicación de los chips de memoria que están en uno o en ambos lados del chip DIMM. Estos términos pueden causar confusiónya que no se refieren necesariamente a cómo están organizados lógicamente los chips DIMM o a qué formas hay de accedera ellos. Son filas son accedidas mediante señales «chip select» (CS). Por lo tanto para un módulo de dos filas, las dos DRAM con los bits de datos entrelazados pueden ser accedidas mediante una señal CS por DRAM.
RIMM RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de línea con bus integrado (este nombre es debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones ycontrol de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"):es decir,también están basadas en almacenamiento por medio de y en uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las ranuras especiales para memoriade la tarjeta principal. Este tipo de memorias siempre debenir por pares, no funcionan si se colocasolamente un módulo de memoria. Todos las memorias RIMM cuentan con 184 terminales. Cuentan con 2 muescas centrales en el conector,para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta. La memoria RIMM permite el manejo de 16 bits. Tiene una placa metálica sobre los chips de memoria, debido a que estos tienden a calentarse mucho y esta placa actúa como disipador de calor. Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras asignadas para ellas estén ocupadas. A pesar de tener la tecnologíaRDRAMniveles de rendimiento muy superiores a la tecnologíaSDRAM y las primeras generaciones de RAM, debido al alto costo de esta tecnologíano tuvo gran aceptación en el mercado de PC. Su momento álgido tuvo lugar durante el periodo de introducción del para el cual se diseñaron las primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos más económicos decidiólanzar placas base con soporte para SDRAMy más adelante para DDR RAM desplazando esta última tecnologíaa los módulos RIMM del mercado que ya no ofrecíanninguna ventaja.
DDR La memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory,RAM) se utiliza como memoria de trabajo d y otras unidades del computador. Se denominan «de acceso aleatorio» porque se puede leer o escribiren una posiciónde memoria con un tiempo de esperaigual para cualquier posición,no siendo necesario seguir un orden para acceder(acceso secuencial)a la información de la manera más rápida posible. Durante el encendido de la computadora, la rutina verifica que los módulos de RAM estén conectados de manera correcta. En el caso que no existan o no se detectenlos módulos,la mayoría de tarjetas madres emiten una serie de sonidos que indican la ausencia de memoria principal. Terminado ese proceso,la memoria puede realizar un test básico sobre la memoria RAM indicando fallos mayores en la misma. Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en de material ferromagnéticode algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos conuna capacidad de memoriamuy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.
DDR 2 Los módulos DDR2 funcionan con 4 por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño que es el que guarda la información para luego transmitirla fuera del módulo de memoria. En el caso de la DDR convencional este buffer tomaba los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria. Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permitenque los búferes de entrada/salida funcionen al doble de la frecuenciadel núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que funcionaban a 0 y 2,5 voltios. Terminación de señal de memoria dentro del de la memoria ("Terminación integrada" u ODT) para evitar errores de transmisión de señal reflejada.
DDR 3 Se preveía, que la tecnologíaDDR3 pudiera ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que prometíaofrecer DDR3 era la mejor opciónpara la combinaciónde un sistema con procesadoresDUAL CORE y ,quead y hexa-core (2, 4 y 6 núcleos por microprocesador).Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2)ofrecenuna solucióntérmica y energética más eficientes. Teóricamente,estos módulos podíantransferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-2600MHz, comparado con el rango del DDR2 de 400-1200MHZ O 200-5033 MHz del DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuenciapero no estandarizados por JEDEC. Si bien las latencias típicas DDR2 fueron 5-5-5-5-15 para el estandar JEDEC para dispositivos DDR3 son7-7-7-20 para DDR3- 1066 Y 9-9-9-24 y para DDR3-1333.
DDR4 Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines. La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 GT/s. Las memorias DDR4 SDRAMtienen un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR predecesoras. Tienen un gran ancho de banda en comparacióncon sus versiones anteriores. Sus principales ventajas en comparacióncon y son una tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en comparacióncon DDR3 de 1600Mhz a 2.133MT/s),la tensión es también menor a sus antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR3)DDR4 también apunta un cambio en la topologíadescartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoriaestá conectado a un módulo único. En principio cabe pensar en la idea de que toda la memoriade trabajo DRAM deba ser sustituida completamente porla memoria SRAM, para así permitir intervalos de acceso más breves. Desgraciadamente la fabricaciónde este tIpo de chips resulta mucho más cara que en el caso de la DRAM. Por esta razón es por lo que se utiliza memoria caché en cantidades limitadas: 128, 256, 512 o 1024 Kbytes. La celda de memoria se carga de una corriente eléctricaalta cuándo indica el valor 1. La celda de memoria se carga de una corriente eléctricabaja cuándo indica el valor 0. Al apagar la computadora,las cargas desapareceny por ello toda la informaciónse pierde.

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  • 2. DIMM Los DIMM (sigla en inglés de dual in-line memory module, traducible como «módulo de memoria con contactos duales») son, al igual que sus precedentes.Los módulos DIMM son reconocibles externamente por tener cada contacto (o pin) de una de sus caras separado del opuesto de la otra, a diferenciade los SIMM en que cada contacto está unido a su opuesto.La disposiciónfísicade los DIMM duplica el número de contactos diferenciados con el bus. Un DIMM puede comunicarse con la caché a 64 (y algunos a 72 bits), a diferenciade los 32 bits de los SIMM. El hecho de que los módulos en formato DIMM sean memorias de 64 bits, explica por qué no necesitan emparejamiento. Los módulos DIMM poseencircuitos de memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y poseena la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168 contactos.Además de ser de mayores dimensiones que los módulos SIMM (130x25 estos módulos poseenuna segunda muesca que evita confusiones. Las DIMM frecuentemente son referenciadas como de "un lado" o de "doble lado", refiriéndose ala ubicación de los chips de memoria que están en uno o en ambos lados del chip DIMM. Estos términos pueden causar confusiónya que no se refieren necesariamente a cómo están organizados lógicamente los chips DIMM o a qué formas hay de accedera ellos. Son filas son accedidas mediante señales «chip select» (CS). Por lo tanto para un módulo de dos filas, las dos DRAM con los bits de datos entrelazados pueden ser accedidas mediante una señal CS por DRAM.
  • 3. RIMM RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de línea con bus integrado (este nombre es debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones ycontrol de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"):es decir,también están basadas en almacenamiento por medio de y en uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las ranuras especiales para memoriade la tarjeta principal. Este tipo de memorias siempre debenir por pares, no funcionan si se colocasolamente un módulo de memoria. Todos las memorias RIMM cuentan con 184 terminales. Cuentan con 2 muescas centrales en el conector,para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta. La memoria RIMM permite el manejo de 16 bits. Tiene una placa metálica sobre los chips de memoria, debido a que estos tienden a calentarse mucho y esta placa actúa como disipador de calor. Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras asignadas para ellas estén ocupadas. A pesar de tener la tecnologíaRDRAMniveles de rendimiento muy superiores a la tecnologíaSDRAM y las primeras generaciones de RAM, debido al alto costo de esta tecnologíano tuvo gran aceptación en el mercado de PC. Su momento álgido tuvo lugar durante el periodo de introducción del para el cual se diseñaron las primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos más económicos decidiólanzar placas base con soporte para SDRAMy más adelante para DDR RAM desplazando esta última tecnologíaa los módulos RIMM del mercado que ya no ofrecíanninguna ventaja.
  • 4. DDR La memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory,RAM) se utiliza como memoria de trabajo d y otras unidades del computador. Se denominan «de acceso aleatorio» porque se puede leer o escribiren una posiciónde memoria con un tiempo de esperaigual para cualquier posición,no siendo necesario seguir un orden para acceder(acceso secuencial)a la información de la manera más rápida posible. Durante el encendido de la computadora, la rutina verifica que los módulos de RAM estén conectados de manera correcta. En el caso que no existan o no se detectenlos módulos,la mayoría de tarjetas madres emiten una serie de sonidos que indican la ausencia de memoria principal. Terminado ese proceso,la memoria puede realizar un test básico sobre la memoria RAM indicando fallos mayores en la misma. Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en de material ferromagnéticode algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos conuna capacidad de memoriamuy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.
  • 5. DDR 2 Los módulos DDR2 funcionan con 4 por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño que es el que guarda la información para luego transmitirla fuera del módulo de memoria. En el caso de la DDR convencional este buffer tomaba los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria. Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permitenque los búferes de entrada/salida funcionen al doble de la frecuenciadel núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que funcionaban a 0 y 2,5 voltios. Terminación de señal de memoria dentro del de la memoria ("Terminación integrada" u ODT) para evitar errores de transmisión de señal reflejada.
  • 6. DDR 3 Se preveía, que la tecnologíaDDR3 pudiera ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que prometíaofrecer DDR3 era la mejor opciónpara la combinaciónde un sistema con procesadoresDUAL CORE y ,quead y hexa-core (2, 4 y 6 núcleos por microprocesador).Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2)ofrecenuna solucióntérmica y energética más eficientes. Teóricamente,estos módulos podíantransferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-2600MHz, comparado con el rango del DDR2 de 400-1200MHZ O 200-5033 MHz del DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuenciapero no estandarizados por JEDEC. Si bien las latencias típicas DDR2 fueron 5-5-5-5-15 para el estandar JEDEC para dispositivos DDR3 son7-7-7-20 para DDR3- 1066 Y 9-9-9-24 y para DDR3-1333.
  • 7. DDR4 Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines. La velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 GT/s hasta un objetivo máximo inicial de 3,2 GT/s. Las memorias DDR4 SDRAMtienen un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR predecesoras. Tienen un gran ancho de banda en comparacióncon sus versiones anteriores. Sus principales ventajas en comparacióncon y son una tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en comparacióncon DDR3 de 1600Mhz a 2.133MT/s),la tensión es también menor a sus antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR3)DDR4 también apunta un cambio en la topologíadescartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoriaestá conectado a un módulo único. En principio cabe pensar en la idea de que toda la memoriade trabajo DRAM deba ser sustituida completamente porla memoria SRAM, para así permitir intervalos de acceso más breves. Desgraciadamente la fabricaciónde este tIpo de chips resulta mucho más cara que en el caso de la DRAM. Por esta razón es por lo que se utiliza memoria caché en cantidades limitadas: 128, 256, 512 o 1024 Kbytes. La celda de memoria se carga de una corriente eléctricaalta cuándo indica el valor 1. La celda de memoria se carga de una corriente eléctricabaja cuándo indica el valor 0. Al apagar la computadora,las cargas desapareceny por ello toda la informaciónse pierde.